存储行业资料整理

  存储器利用地址编址和电子静态存储技术实现存储和读取数据，通常被组织成一个二维矩阵，其中的每个单元称为一个存储位置。在计算机需要读取或写入数据时，向存储器发送地址信号，通过数据总线与存储器进行数据的传输。

  分类：存储器按存储介质可大致分为光学存储器、半导体存储器以及磁性存储器。其中半导体存储器主要基于半导体技术，通过电线控制电信号的流量来存储和读取数据。

  半导体存储器按照掉电后数据是不是保存，分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要以随机存储器RAM为主，分为SRAM和DRAM两类，SRAM（静态随机存储器）不需要周期性地刷新，速度比较快，但成本也较高，是利基产品。DRAM（动态随机存储器）需要周期性地刷新，它的速度较慢，但成本较低。目前市场上主流RAM产品是DDR4，大范围的应用于个人电脑、服务器等计算机系统。

  非易失性存储最常见的是NAND Flash和NOR Flash。NAND Flash是Flash存储器主流产品，占据近95%市场占有率，具有容量大、成本低、速度快等优势，大范围的应用于消费类电子科技类产品，如手机、平板电脑、数码相机等。NOR Flash主要优点是读写速度快，主要使用在于特殊用途设备，如军事、航空航天、工业控制。

  全球存储市场绝大部分份额由国外厂商占有，呈现寡头垄断格局，行业集中度较高。根据statista数据，截至2022Q3，全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断，CR3超过95%，三星、海力士和美光分别占比41%、29%和26%。全球NAND flash市场前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，2022Q3市场占有率分别为31.4%、20.6%和13.0%，目前CR3市场占有率达65%，CR6市场占有率接近95%。

  全球存储芯片市场被海外企业垄断。DRAM领域，三星、美光、SK海力士垄断了近95%的市场占有率，行业集中度高，寡头明显。NAND领域，竞争格局较为分散，头部企业为三星，恺侠、西部数据、美光科技、英特尔紧随其后。NOR领域，中国台湾企业旺宏电子、华邦及大陆企业兆易创新，近五年来市占率位于全球前三，2022年三家公司合计市占率达到90.7%，NOR领域海外企业垄断程度最低。总体而言，存储芯片行业现有竞争者数量较少，行业集中度较高，在技术领域的竞争较为激烈，大部分市场被国外寡头垄断，国内公司处于相对落后的位置，但已在各个细分市场展开追赶。

  三星、海力士、美光三大厂商在DRAM供给端占据龙头地位。根据Gartner，三大厂商出货量占比超过95%。三星占比最高，份额长期在40%以上。海力士占比约为30%，美光占比超过20%。

  NAND Flash市场之间的竞争较DRAM更激烈。NAND Flash供给端存在三星、铠侠、美光、西部电子、海力士等多家厂商占据较大份额。三星占比最大，超过30%，其次为铠侠，占比为20%左右。美光、西部电子、海力士占比相差较小，均为10%-15%，存在小幅波动。

  根据2023年3月31日，中国网信网公告对美光公司在华销售进行安全审查，国产化存储产业链迎来布局时刻，随我国存储产业布局逐步完善，国内将对美光及一部分国外公司的依赖度逐渐降低，国内存储公司有望快速崛起。

  AI服务器带来存力硬件需求上行：依据数据测算，人工智能服务器中DRAM内容是普通服务器的8倍，NAND内容将是普通服务器的3倍，而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。库存边际改善，价格修复在即：美光2023年Q2会计期末库存约为81.29亿美金，同比下降2.75%，有望持续改善。AI服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升，加速存储行业库存进一步清出。根据TrendForce数据，美光及SK海力士在内的部分供应商已启动DRAM减产计划，2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%。国产化存储产业链迎来布局时刻：国内存储产业链多元化布局，2023年有望完成产品结构快速升级。

  得益于人工智能、物联网、云计算、边缘计算等新兴技术在中国的加快速度进行发展，中国数据正在迎来爆发式增长。据此前IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全世界最大的数据圈。

  数据中心驱动存储需求量开始上涨。随着数据量的大规模增长，存储设备在数据中心采购的BOM中占比逐步提升，美光曾提及，目前存储芯片在数据中心采购中比例约为40%，未来预计将提升至50%。数据中心将成为引领存储市场增长的重要引擎。

  1、DRAM：向高性能和低功耗发展，3D堆叠、先进工艺、EUV等是未来趋势

  新兴存储技术应用有限，预计市场占有率将一直处在低水平。根据Yole，目前市场上除DRAM、NANDFlash、NOR Flash，其他存储技术的市场占有率合计仅2%，预计到2026年新兴的存储技术，包括PCM、MRAM、RERAM等，份额仍将不到全市场的3%。新型存储发展趋势均是将DRAM的读写速度与Flash的非易失性结合起来，目前尚无方案可替代DRAM和NAND Flash。

  存储产业链分为四个环节，存储晶圆颗粒、主控芯片制造、封装测试及模组厂商集成。存储晶圆颗粒是存储器核心部分，存储产品中的所有数据和信息均存储在晶圆颗粒中，主控芯片是存储器的控制中心，负责存储器的读写操作，封装测试是将存储晶圆颗粒和主控芯片封装在一起，并对整个存储器来测试和调试，模组厂商集成将存储器与其他电子组件组合在一起，形成最终产品。

  公司NOR Flash产品，为市场提供全容量、高性能及高可靠性、低功耗、低电压、小封装等多样化产品组合。NOR Flash产品提供512Kb至2Gb大容量的全系列新产品，55nm工艺制程出货量占比已接近70%。

  车规产品方面，公司GD25/55、GD5F全系列新产品通过AEC-Q100车规级认证，实现了从SPINOR Flash到SPI NAND Flash车规级产品的全面布局，为车载应用的国产化提供丰富多样的选择。

  公司DRAM产品2021年实现自有品牌突破，量产首款4Gb DDR4（19nm制程）产品，现已大范围的应用在消费电子（包括机顶盒、电视、智能家居等）、工业安防、网络通信等领域。

  公司存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。

  全球大部分知名Tier1厂商及穿透后包括新能源车、燃油车、造车新势力等在内的大部分终端品牌车厂，均采用了公司的车规级存储芯片产品。公司车规级SRAM和车规级DRAM在全球车规级细分市场均名列前茅，车规Flash芯片的市场销售在快速提升中。

  公司存储类基本的产品包括NOR Flash和EEPROM两大类。公司NOR Flash产品应用领域集中在蓝牙、IOT、TDDI、AMOLED、工业控制等相关市场，40nm工艺制程下4Mbit到128Mbit容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平。公司EEPROM产品应用领域集中在手机摄像头模组、工业控制、汽车电子、家电、计算机周边等领域。公司已形成覆盖2Kbit到4Mbit容量的EEPROM产品系列，95nm及以下工艺制程下产品已实现量产，领先于业界主流工艺制程。

  江波龙主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售，聚焦存储产品和应用，形成嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大产品线，其中嵌入式存储营收占比最高，2021年达到49.04%；移动存储和嵌入式存储系列毛利率较高，2021年两者毛利率均超过20%。

  江波龙营业收入保持稳定增长，2019年-2021年，年均复合增长率为30.54%。江波龙毛利率、净利率总体呈上升趋势，2019年净利率由负转正。

  佰维存储专注于存储芯片研发与封测制造，构筑研发封测一体化的经营模式，主要业务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储、先进封测服务四大板块。江波龙存储芯片产品广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等信息技术领域，是国内率先进入全球科技巨头供应链体系的存储器企业。

  德明利为专业从事集成电路设计、研发及产业化应用的国家高新技术企业。德明利主营业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发，存储模组产品应用方案的开发、优化，以及存储模组产品的销售。德明利主要聚焦于移动存储市场，销售收入主要来自存储模组，产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组，其中存储卡模组毛利率较高。德明利相关产品广泛应用于消费电子、工控设备、家用电器、汽车电子、智能家居、物联网等诸多领域。

  澜起科技是国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，澜起科技致力于为云计算和人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案。

  目前公司的主要产品有内存接口芯片、津逮服务器CPU及混合安全内存模组。其中，澜起科技在内存接口芯片领域深耕十余年，占据全球市场主要份额，市占率将近50%（全球第一），是全球可提供内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商。

  1.东吴证券-半导体行业深度报告：海外观察系列十，从美光破净看存储行业投资机会

  2.国金证券-电子行业深度研究：半导体行业深度系列一，2023年存储板块有望迎来拐点

  4.中信建投-电子行业深度报告：存储芯片，长期高成长赛道，本土厂商有望崛起

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